Flsh存储器是Intel公司于1988年推出的一种新型半导体存储器，具有非挥发存储特性，可作为新一代可编程只读存储器，近年来发展很快。Flsh译成中文为“闪烁”，故称之为闪烁存储器(简称闪存)，由于该类只读存储器集成度高(构成基本存储单元只需一个MOS管)、读取速度快(内部采用SRAM作为缓冲器，速度已接近EDO类型的动态RAM)、单一供电、再编程次数多(可达100万次)等显著特点，所以得到广泛应用。
1．基本存储单元电路及工作原理
目前较为通用的Flsh存储器体系结构有三种：NOR结构、ETOX结构和NAND结构。其中Intel公司提出的基于EPR()M隧道氧化层的ETox(EPROM Tunnel Oxide)结构最为简单实用。这里就以ETOX结构为例介绍。Flsh存储器的结构原理。
这种结构的基本存储单元由一个M0s管构成，该管的模式结构如图3．22所示。看上去和EEPROM有些相似，实际上它就是在EEPROM的基础上发展而成的。和EEPROM一样，它也是通过浮置栅上有无电荷来存储不同信息的，但内在机理
和工作机制与EEPROM有所不同。
写入时，在控制栅上加足够高的正电压 稍低的电压(7 v)，源极接地，则源区的电子在沟道电场的加速作用下向漏区运动，部分电子的动能将变得很大，成为热电子，其中有一些在控制栅电压所感应的纵向电场作用下，越过氧化层势垒进入浮置栅。当浮置栅获得足够多的自由电子后，就在源、漏极间造成一个导电沟道。
擦除时，在控制栅上加负的高电压，在源极上接正的低电压，而漏极浮空。由于控制栅和浮置栅的电容效应，使浮置栅感应为正电势，因此在浮置栅与源区之间形成强电场，在其作用下浮置栅上的电子穿过氧化层势垒进入源区。这样，源和漏极之间无法形成导电沟道。
